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方正證券的研究報告《IGBT功率半導體研究框架》

來源:方正證券     編輯:創(chuàng)澤   時間:2020/12/7   主題:其他 [加盟]

IGBT功率半導體最大的優(yōu)勢是節(jié)能,傳統(tǒng)的功率半導體損耗非常大,需要多個器件才能達到電能轉換的效果。IGBT通過調節(jié)電機的轉速來提升能源轉換效率,從而達到節(jié)能的作用。

需求上,IGBT的需求最主要來自新能源汽車帶動的增長;工業(yè)領域屬于穩(wěn)健的需求,增量來自于新基建;新能源變電和電網(wǎng)來自國家政策的推動發(fā)展;軌道交通是中國的優(yōu)勢領域。但是,相對于傳統(tǒng)功率半導體,IGBT工藝流程長達2.5-3個月,只要有一個參數(shù)變生偏差,就需要工藝流程重新返工,1年時間內沒有幾次試錯的機會。


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